IT之家 7 月 17 日音尘大色网，《韩国经济日报》（Hankyung）暗示，SK 海力士将禁受台积电 N5 工艺版基础裸片（Base Die）构建 HBM4 内存。

新一代 HBM 内存 HBM4 的 JEDEC 措实际将定案。而凭证IT之家此前报谈，SK 海力士的首批 HBM4 居品（12 层堆叠版）有望于 2025 年下半年推出。

SK 海力士和台积电两边于本年 4 月签署了互助暖和备忘录，晓示凑合 HBM 内存的基础裸片加强互助。

而台积电在 2024 年时刻斟酌会欧洲场上暗示大色网，婷婷第四色该企业准备了两款 HBM4 内存基础裸片，bbbb444第四分歧为面向价钱明锐性居品的 N12FFC+ 版和面向高性能诳骗的 N5 版。

其中 N5 版基础裸单方面积仅有 N12FFC+ 版的 39%，同功率下逻辑电路频率可达 N12FFC+ 版的 155%，同频率功耗则仅有 35%。

N5 工艺版基础裸片可杀青 6~9μm 级别的互联间距，在当今流行的 2.5D 式封装集成外还能支撑 HBM4 内存同逻辑科罚器的 3D 垂直集成。这一纵向结构可提供更大的内存带宽，将深入更正 HPC&AI 芯片生态。

HBM 内存基础裸片转由逻辑晶圆厂坐褥亦然半导体制造两大限度走向交融的最佳讲解。韩媒在报谈中提到，SK 海力士和三星电子均正为其 HBM 内存团队补充逻辑策划东谈主才。